记者 张明 报道
全球半导体产业的扩张步伐正在显著加速。国际半导体产业协会（SEMI）最新发布的报告预测，全球300mm存储器晶圆厂设备投资有望在2026年首次突破500亿美元大关，这标志着存储器产业正进入新一轮产能建设的超级周期。
SEMI报告显示，2026年全球300mm存储器晶圆厂设备投资预计将达到520亿美元，较2025年同比增长29%。这一数字不仅创下历史新高，更意味着存储器产业的资本支出强度将迈入全新的量级。而这一增长势头远未止步，报告进一步预测，2027年该领域的投资规模还将继续攀升11%，达到570亿美元。
DRAM设备支出占比超七成 NAND同步跟进
从细分领域来看，DRAM设备支出将是这一轮投资热潮中的绝对主力。SEMI预计，2026年DRAM设备支出将达到370亿美元，占据存储器设备投资总额的71%，同比增幅同样为29%。分析人士指出，DRAM领域的高投入主要源于三个方面：一是DDR5内存的渗透率持续提升，带动现有产线向更先进节点迁移；二是高带宽内存（HBM）需求因人工智能（AI）算力建设而呈爆发式增长，HBM复杂的堆叠工艺对前道制程设备产生了大量新增需求；三是中国存储器厂商的产能扩张仍在持续，成为全球设备需求的重要拉动力量。
与此同时，NAND闪存设备支出也在稳步攀升。报告预测，2026年NAND设备支出将同比增长28%，达到140亿美元。尽管增速与DRAM基本同步，但NAND领域当前面临更为复杂的市场环境。一方面，AI服务器对大容量SSD的需求持续增长，推动了企业级NAND产品的出货量；另一方面，NAND行业长期处于价格博弈状态，厂商在资本开支方面相对更为谨慎，更倾向于对现有产线进行升级和工艺转换，而非大规模新建产能。
六年CAGR达19% 产能建设长期火热
SEMI报告最令人关注的信号在于投资热度并非短期现象。报告指出，2024年至2029年这六年间，全球300mm存储器晶圆厂设备投资的复合年增长率（CAGR）将达到19%。这意味着，即使经历了2023年的行业低谷，存储器厂商对未来需求的判断依然高度乐观，产能建设的长期规划已经绘就。
多位行业分析师在接受采访时表示，推动这一长期增长的核心驱动力仍然是人工智能。AI大模型的训练和推理需要海量的算力支持，而算力的物理基石就是DRAM和NAND芯片。以HBM为例，当前最先进的HBM3E内存单颗容量已达24Gb，在未来几年其渗透率和大规模应用将直接拉动300mm晶圆产能的需求。此外，边缘AI设备、智能汽车、物联网等新兴应用同样为存储器市场提供了广泛的下游支撑。
地缘政治因素影响投资流向
值得注意的是，设备投资的持续增长也受到地缘政治格局演变的深刻影响。近年来，美国、日本、荷兰相继收紧了先进半导体设备的出口管制，这使得部分存储器厂商的扩产计划面临技术获取上的不确定性。SEMI在报告中指出，未来几年全球存储器产能建设将呈现“多极化”趋势：美国、欧洲、日本、韩国以及中国都将不同程度地加大本土化产能建设的力度。
在中国市场，多家存储器厂商正在加速推进成熟节点的产能扩张，同时也在技术自主上持续投入。尽管受到设备进口限制，但中国存储器产业的资本支出并未显著收缩，反而通过购买成熟制程设备和本土设备替代来维持产能建设节奏。这种“逆势投资”也成为全球存储器设备需求保持热度的重要支撑因素。
短期波动不改变长期趋势
尽管前景长期看好，但存储器市场的周期性特征不容忽视。2023年存储器行业经历了严重的供过于求和价格下跌，三星、SK海力士和美光等大厂均削减了资本开支。随着AI需求的意外爆发，2024年行业迅速进入复苏通道，主要厂商库存去化顺利，价格连续多季度上涨。然而，产能的大规模投放可能再次引发供需失衡的风险，2026年至2027年的投资高峰能否被有效消化，将是行业需要面对的重要课题。
不过，SEMI报告的整体基调依然乐观。报告认为，随着AI从云端走向终端，从训练走向推理，全球对高性能存储器的需求将呈现“指数级”上升趋势。在这样的背景下，300mm晶圆厂设备投资突破500亿美元，既是产业进化的必然结果，也是未来数字经济发展的基础设施保障。对于设备制造商和材料供应商而言，这场持续数年的投资盛宴才刚刚拉开序幕。