本报记者 张明 综合报道
7月25日，韩国半导体巨头SK海力士公布了2024财年第二季度财务报告，交出了一份远超市场预期的成绩单。得益于人工智能（AI）浪潮下高带宽存储器（HBM）等高端产品的强劲需求，公司营收刷新了历史纪录，净利润较去年同期实现扭亏为盈，标志着存储芯片行业已全面走出低谷。
核心财务数据：营收与利润双双超预期
财报显示，SK海力士第二季度合并营收达到 16.4233万亿韩元（约合人民币864亿元），同比增长 124.8%，环比增长 31.9%，不仅创下公司单季营收历史新高，也大幅高于市场此前预期的15.5万亿韩元。营业利润为 5.4685万亿韩元（约合人民币287亿元），而去年同期则录得营业亏损2.882万亿韩元，净利润为 4.12万亿韩元，同样实现扭亏为盈。营业利润率达到33%，净利润率为25%。
这一亮眼业绩的背后，是存储芯片价格持续上涨以及以HBM为代表的高附加值产品出货量激增。公司表示，在AI服务器需求持续旺盛的背景下，用于大模型训练和推理的HBM3E和HBM3产品供不应求，带动了整体营收和利润率的显著提升。
HBM成最大增长引擎：出货量环比增长超50%
作为全球领先的HBM供应商，SK海力士在第二季度进一步巩固了其在AI存储领域的技术和市场份额优势。公司透露，期内HBM3E（第五代HBM）的销售额环比增长超过 50%，同时HBM整体出货量也实现了显著提升。目前，SK海力士已开始向主要客户批量供应12层堆叠的HBM3E产品，其单颗容量高达36GB，性能较上一代提升明显。
此外，面向企业级SSD（固态硬盘）的eSSD产品需求同样强劲，公司推出了基于QLC（四层单元）技术的60TB级大容量SSD，进一步拓展了数据中心存储解决方案的市场空间。
SK海力士首席财务官（CFO）金宇铉在财报电话会议上表示：“二季度业绩的强劲增长主要得益于AI内存的旺盛需求以及传统存储芯片价格的持续复苏。HBM的销售额占比已提升至公司总DRAM（动态随机存取存储器）销售额的 20%以上，预计下半年这一比例将继续扩大。”
传统存储芯片价格持续反弹
除了AI相关产品，传统DRAM和NAND Flash（闪存）芯片市场也迎来复苏。受消费电子、PC和移动终端需求回暖以及上游厂商主动控产影响，DDR5、LPDDR5等主流DRAM产品价格在二季度环比上涨约15%-20%，NAND Flash价格涨幅则更为显著，带动了公司整体盈利能力的快速修复。
财报显示，SK海力士第二季度DRAM和NAND的营收占比分别为 68%和32%。其中，DRAM比特出货量（bit shipment）环比增长约10%，平均售价（ASP）环比提高12%；NAND比特出货量环比增长约5%，平均售价环比提高18%。
行业展望：下半年AI需求持续旺盛，资本支出计划维持高位
展望下半年，SK海力士对行业前景保持乐观。公司预计，随着AI大模型训练需求向推理端扩展，以及智能手机、PC等终端设备逐步集成AI功能，HBM及高性能存储产品的需求将进一步增长。为此，SK海力士已宣布将今年的资本支出计划维持在 15万亿韩元以上，重点投向HBM先进封装产能扩建和1b纳米DRAM工艺升级。
不过，公司也提示了潜在风险，包括地缘政治不确定性、汇率波动以及传统存储芯片价格涨幅可能放缓等。但总体而言，SK海力士管理层认为，AI驱动的结构性增长周期已经开启，公司将通过技术领先和产能保障来抓住这一历史性机遇。
市场反应与机构评价
财报发布后，SK海力士股价在韩国交易所小幅上涨。多家券商随即上调了公司目标价。摩根士丹利分析师指出，SK海力士在HBM领域的先发优势和技术壁垒使其成为AI算力基础设施的核心受益者，预计其下半年业绩仍有望环比增长20%以上。高盛则强调，随着HBM3E在客户端的渗透率提升，SK海力士的盈利稳定性将远超上一轮存储景气周期。
总体来看，SK海力士二季度业绩不仅是公司自身运营的里程碑，更折射出全球半导体产业在AI驱动下的深刻变革。存储芯片正从传统的周期品向具有更高成长性的科技核心资产转变，而SK海力士无疑已在这一进程中占据了有利身位。
（完）