6月25日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry正式宣布，该公司近期成功开发出“基于双向可控硅整流器（Bi-SCR）的片上电磁兼容（EMC）保护技术”，这一创新成果能够显著提升汽车半导体的电磁兼容性能。据悉，该技术已被应用于其0.13微米BCD（双极-CMOS-DMOS）工艺产品，并已顺利进入量产阶段，标志着SK keyfoundry在汽车芯片领域的核心技术能力迈上新台阶。
技术原理：双向SCR如何改善EMC性能
电磁兼容性是汽车电子系统稳定运行的关键指标，尤其在电动化、智能化趋势下，车载芯片面临的电磁干扰环境日益复杂。传统的片上ESD（静电放电）保护结构在应对快速瞬态干扰时存在响应速度慢、钳位电压高等局限性，难以满足高等级汽车电子可靠性要求。
SK keyfoundry本次开发的双向SCR技术，通过优化器件结构，实现了双向电流导通能力，同时显著降低了触发电压和响应时间。与传统的单向SCR或二极管保护方案相比，Bi-SCR能够在正负两个方向提供对称的快速泄放路径，有效抑制电源轨间、信号线与地之间的电磁耦合干扰，从而从芯片层面提升整体EMC裕量。该技术嵌入0.13微米BCD工艺后，无需增加额外光刻层或工艺步骤，实现了低成本、高可靠性的片上集成。
量产落地：0.13μm BCD工艺率先搭载
SK keyfoundry表示，搭载该技术的0.13微米BCD工艺产品已经通过严格的AEC-Q100车规级可靠性认证，并进入批量生产。BCD工艺本身整合了双极晶体管的高驱动能力、CMOS的低功耗与DMOS的高耐压特性，是电源管理、电机驱动、车用传感器信号调理等模拟/混合信号芯片的理想平台。加入Bi-SCR保护结构后，该工艺平台能够提供更强的抗电磁干扰能力，尤其适用于动力系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）、车载通信模块等对EMC要求极为严苛的应用场景。
据了解，SK keyfoundry是目前韩国少数具备独立开发车规级BCD工艺能力的8英寸代工厂。通过本次技术升级，其0.13μm BCD工艺的EMC测试通过率较上一代提升约30%，同时芯片面积未显著增加，保证了客户产品的成本竞争力。
行业意义：汽车芯片代工竞争的新筹码
全球汽车芯片需求正处于结构性增长期，特别是随着电动汽车和智能座舱的普及，每辆车搭载的芯片数量已从传统燃油车的几百颗增至上千颗，且对高可靠性、高集成度、低功耗的要求持续升级。在此背景下，晶圆代工厂能否提供差异化的车规级工艺技术，成为争夺客户订单的关键。
SK keyfoundry此举直接瞄准了汽车电子设计中的EMC痛点。以往，芯片级EMC问题往往需要客户在外围增加滤波电感、电容或TVS管等分立器件来解决，这不仅增加BOM成本，也占用宝贵的PCB空间。而将EMC保护功能直接集成到芯片内部，可以显著简化系统设计，提高整体可靠性。对于需要大量重复使用同类保护架构的汽车电源管理IC、接口IC等产品，这种片上方案具有显著优势。
此外，双向SCR结构具备良好的温度和工艺均匀性，能够在-40℃至150℃的宽温度范围内保持稳定性能，满足汽车电子对耐久性的严苛要求。目前，SK keyfoundry已就该技术申请多项国际专利，并正与多家头部汽车半导体设计公司进行联合测试，未来有望推广至更多工艺节点。
展望：加速汽车芯片本土化与差异化
韩国是全球半导体制造重镇，但8英寸车规级代工资源长期由国际巨头主导。SK keyfoundry此次在EMC保护技术上的突破，不仅增强了自身在汽车模拟代工领域的竞争力，也为韩国本土汽车芯片供应链提供了更灵活、更可靠的制造选项。
目前，公司正计划将Bi-SCR片上EMC保护技术拓展至0.18微米和0.5微米等更成熟或更高电压的BCD工艺平台，进一步覆盖动力电池管理、车载充电器、高压DC-DC转换器等应用。同时，公司也在探索将该技术用于消费电子和工业控制领域，满足物联网设备对电磁兼容性的日益增长的需求。
在汽车芯片国产替代与供应链多元化的浪潮中，SK keyfoundry以差异化工艺技术切入，有望在激烈的代工市场上开辟出一条独特的发展路径。随着基于双向SCR的片上EMC保护技术的大规模量产，汽车电子设计将迎来更高效、更集成的解决方案。