记者 | 资深编辑 李铭
日期 | 2025年5月27日

今日韩国KOSPI市场迎来爆发时刻，全球第二大存储芯片制造商SK海力士股价盘中一度飙升超过22%，最终收涨20.8%，报收于24.6万韩元，创下自2021年以来的最大单日涨幅。公司总市值随之突破180万亿韩元（约合1400亿美元），重新逼近历史峰值。这一惊人涨幅不仅带动韩国半导体板块整体上扬，更在全球科技投资者中掀起新一轮对高带宽内存（HBM）产业链的聚焦。

多重利好共振，AI算力需求成核心引擎

市场分析人士普遍认为，此次股价暴涨是多重利好因素集中释放的结果。首当其冲的是AI大模型对高性能存储芯片的旺盛需求持续超预期。据供应链消息，SK海力士近期斩获了来自英伟达、AMD等头部AI芯片厂商的新一批HBM3E订单，订单规模较上一季度增长约40%，且交付周期已排至2026年下半年。作为全球首家量产HBM3E产品的企业，SK海力士目前在该细分市场的占有率超过70%，技术代际优势使其拥有极强的定价权。

与此同时，公司于今日盘前发布了超预期的第二季度业绩预告。预告显示，第二季度营收预计环比增长28%至16.3万亿韩元，营业利润达到6.5万亿韩元，同比扭亏并创下历史同期第二高水平。其中，HBM产品的销售额占比首次突破公司总营收的35%，较去年同期翻了两番。业绩预告中特别提到，用于AI服务器的DDR5及企业级SSD（固态硬盘）的出货量也同步大幅攀升，进一步巩固了其“全品类存储解决方案供应商”的定位。

行业周期拐点确认，供给端与需求端双向发力

除公司个体因素外，全球存储芯片行业周期步入上行通道也是重要推手。研究机构TrendForce的数据显示，2025年第二季度DRAM（动态随机存取存储器）合约均价环比上涨约15%，NAND Flash（闪存）均价上涨约12%，均超出先前预测。SK海力士作为行业龙头，自然成为涨价周期的最大受益者之一。另外，三星电子、美光科技等主要厂商近期也宣布将部分传统DRAM产线转为HBM专用产线，导致普通存储芯片供给趋紧，进一步推高了价格。

值得注意的是，韩国政府今日早些时候宣布将扩大对半导体产业的税收优惠和研发补贴，计划在2026年前向HBM、CXL（Compute Express Link）等下一代存储技术投入约15万亿韩元。SK海力士作为韩国半导体战略的核心执行者，预计将获得其中超过40%的资金支持，用于扩建位于利川和清州的HBM封装工厂。这一政策利好直接点燃了市场对其长期产能扩张的信心。

分析师观点：估值仍有空间，但需警惕技术替代风险

针对SK海力士的后续走势，多家国际投行迅速上调了目标股价。野村证券将12个月目标价从28万韩元上调至35万韩元，理由是其HBM的毛利率已超过60%，且AI服务器出货量在未来两年有望保持年均50%以上的增速。摩根士丹利则在一份研报中强调，SK海力士当前市盈率仅为12倍，远低于AI芯片设计公司的40倍以上，存在明显的估值修复空间。

不过，也有部分分析师提醒，行业高度依赖AI算力投资的持续性。若全球科技公司资本支出放缓，或出现替代性存储技术（如存算一体芯片、光学存储）的突破，SK海力士的高增长轨迹可能面临挑战。此外，三星电子正在加速追赶HBM产能，预计2026年其HBM总产能将接近SK海力士的80%，届时价格竞争可能加剧。

市场影响与展望

受SK海力士暴涨带动，韩国KOSPI指数今日上涨2.3%，半导体元件指数飙升5.1%。A股和港股的存储概念股也随之异动，国内HBM相关供应商如长电科技、华海诚科等均录得不同幅度上涨，反映出全球存储器产业链的高度联动性。

展望未来，SK海力士计划在下月举办的全球人工智能大会上展示其1c纳米级DRAM和第六代HBM4的原型产品。如果技术验证顺利，有望在2026年上半年实现量产，届时将进一步拉开与竞争对手的距离。对于投资者而言，SK海力士此次涨幅既是AI时代存储红利爆发的信号，也预示着半导体行业正从传统周期性波动转向由算力驱动的长期结构性增长。这场由HBM点燃的资本盛宴，或许才刚刚拉开序幕。