【快粼光电完成千万级天使轮融资，推动超高速光探测芯片量产落地】7月7日消息，界面新闻获悉，快粼光电已于6月完成数千万元人民币的天使轮融资。本轮融资由小苗朗程领投，一村资本跟投。此次募集资金将用于公司超高速光探测芯片的研发迭代、推动国产单波200G/400G PD芯片量产落地以及企业高端人才引进。自2024年成立以来，快粼光电卡位AI算力集群与DCI（数据中心互联）对光电器件的迫切需求，专注于高速、高功率III-V族光电探测芯片的研发，产品可应用于 800G、1.6T、3.2T 高速光互连，以及 LPO/LRO、NPO/CPO 等下一代数据中心网络架构。

7月7日消息，界面新闻获悉，国内高速光电探测芯片领域新锐企业快粼光电已于6月完成数千万元人民币的天使轮融资。本轮融资由小苗朗程领投，一村资本跟投。此次募集资金将主要用于公司超高速光探测芯片的研发迭代、推动国产单波200G/400G PD芯片量产落地以及企业高端人才引进。

自2024年成立以来，快粼光电迅速卡位AI算力集群与DCI（数据中心互联）对高性能光电器件的迫切需求，专注于高速、高功率III-V族光电探测芯片的研发。公司产品可广泛应用于800G、1.6T、3.2T高速光互连，以及LPO/LRO、NPO/CPO等下一代数据中心网络架构，在人工智能大模型训练、云计算数据中心、5G/6G通信等前沿领域具有广阔的应用前景。

融资背景：资本看好AI驱动的光芯片蓝海

随着人工智能大模型的爆发式增长，算力集群对数据传输带宽和能效提出了前所未有的要求。光互连作为突破传统电互连瓶颈的核心技术，其上游核心器件——高速光电探测芯片（PD芯片）正成为半导体投资的新热点。快粼光电此次能够在成立仅数月内即获得知名机构青睐，反映了资本市场对AI基础设施国产替代趋势的高度认可。

领投方小苗朗程长期关注硬科技领域早期投资，尤其擅长光子芯片、半导体材料等赛道。跟投方一村资本则在高端制造和通信领域拥有丰富的产业资源。三方联合，将为快粼光电提供从技术研发到产业化的全方位支持。

技术突破：单波200G/400G PD芯片瞄准量产

快粼光电的核心技术优势在于III-V族化合物半导体材料体系下的高速光电探测芯片设计。公司研发团队在铟磷（InP）和砷化镓（GaAs）等材料平台上积累了深厚经验，能够实现高响应度、高带宽、高饱和功率的PD芯片产品。

当前，业界主流光模块正从800G向1.6T甚至3.2T演进，光口速率从单波100G向单波200G/400G跃迁。这一趋势对光探测芯片的带宽、信噪比和可靠性提出了更高挑战。快粼光电基于自研的器件结构和工艺优化，已在单波200G/400G PD芯片上取得关键突破，此次融资将直接推动相关产品从样品阶段走向量产落地。

公司产品线覆盖多种封装形式，可适配不同客户的光模块设计需求。特别是在LPO（线性直驱）和CPO（共封装光学）等新型架构中，快粼光电的PD芯片能够提供优异的线性度和低时延特性，满足AI算力集群对极致功耗和延迟的严苛要求。

市场前景：国产替代空间广阔

据行业研究机构预测，全球光通信芯片市场规模将在2027年超过200亿美元，其中高速PD芯片占比约15%。当前，该市场仍由日本、美国等少数国际厂商主导，国产化率不足20%。在AI算力需求爆发和供应链安全双重驱动下，下游光模块厂商和云服务商对国产高速光芯片的验证和导入意愿显著增强。

快粼光电方面表示，公司将利用本轮融资资金加快产品研发节奏，计划在年内完成多款高速PD芯片的客户送样和认证，并建设首条量产测试线。同时，公司已启动下一轮融资筹备，以扩大产能和团队规模。

业内分析人士指出，快粼光电的加入有望打破国外公司在超高速光探测芯片领域的长期垄断，为我国AI数据中心和算力基础设施提供更安全、更高效的国产芯片解决方案。随着量产进程的推进，公司在供应链成本控制和客户定制化响应方面的优势将逐步显现，未来增长值得期待。